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      OPTO DIODE紅外發射器OD-850W

      產品介紹

      Opto Diode 的近紅外 (NIR) 發射器專為關鍵任務應用中的高輸出性能、光譜精度和長期可靠性而設計。我們的近紅外器件具有窄帶寬和從 700 到 1300 nm的波長范圍,可支持從機器視覺、工業自動化到航空航天系統等各種應用。每個發射器都能提供同輻射輸出和良好的熱穩定性,因此更適合集成到需要高信噪比、準確光學控制和長工作壽命的系統中。

      性能特點

      高光學輸出

      850 nm 峰值發射

      密封式 TO-46 封裝

      發射角寬,可覆蓋較大區域

      技術參數

      產地

      美國

      25 ℃ 時的電光特性

      總輸出功率,Po IF = 100 mA

      30 至 40 mW

      峰值發射波長,λP IF = 20 mA

      850 nm

      50% 時的光譜帶寬,Δλ IF = 20 mA

      40 nm

      半強度光束角,θ IF = 20 mA

      70 至 80 °

      正向電壓,VF IF = 100 mA

      1.6 至 2 V

      反向擊穿電壓,VR IR = 10 µA

      5 至 30 V

      上升時間 IFP = 50 mA

      20 nsec

      下降時間 IFP = 50 mA

      20 nsec

      25° 時的Max額定值

      功率耗散

      200 mW

      連續正向電流

      100 mA

      峰值正向電流(10 µs,200 Hz)

      300 mA

      反向電壓

      5 V

      引線焊接溫度(距外殼 1/16 英寸,10 秒)

      260 ℃

      > 25 ℃

      線性降低

      熱參數

      存儲和工作溫度范圍

      -40 至 100 ℃

      Max結溫

      100 ℃

      熱阻,RTHJA1

      400 ℃/W 典型值

      熱阻,RTHJA2

      135 ℃/W 典型值

      產品尺寸

      產品應用

      工業檢測與分揀、航空航天、科學研究、儀器儀表


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