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      OPTO DIODE照明器OD-663

      產品介紹

      Opto Diode 的近紅外 (NIR) 高功率 LED 專為需要準確、高輸出紅外照明的苛刻應用而設計。這些器件在 700 至 1300 nm 范圍內發光,具有優良的輻射測量性能、光譜穩定性和長工作壽命。我們的高功率近紅外 LED 單芯片輸出功率高達 250 mW (DC),多芯片陣列輸出功率高達 1000 mW (DC),是夜視、監控、工業傳感和其他關鍵任務系統的適配之選。我們提供標準和定制配置,以滿足您對波長、輸出和封裝的確切要求。

      性能特點

      高功率輸出

      880 nm峰值發射

      三個芯片串聯

      TO-66 接頭具有良好的散熱性

      功率輸出測試

      電氣隔離外殼

      技術參數

      產地

      美國

      25 ℃ 時的電光特性

      總輸出功率,Po IF = 300 mA

      150 至 170 mW

      總輸出功率,IF = 8 A

      3500 mW

      峰值發射波長,λP IF = 50 mA

      880 nm

      50 % 時的光譜帶寬,Δλ IF = 50 mA

      80 nm

      半強度光束角,θ IF = 50 mA

      120 °

      正向電壓,VF IF = 300 mA

      4.5 至 5 V

      反向擊穿電壓,VR IR = 10 µA

      5 至 30 V

      電容,C VR = 0 V

      30 pF

      上升時間

      1 µsec

      下降時間

      1 µsec

      25 ℃ 外殼條件下的Max額定值

      功率耗散

      2 W

      連續正向電流

      400 mA

      峰值正向電流(10 µs,400 Hz)

      8 A

      反向電壓

      5 V

      引線焊接溫度(距外殼 1/16 英寸,10 s)

      260 ℃

      熱參數

      存儲和工作溫度范圍

      -55 至 100 ℃

      Max結溫

      100 ℃

      熱阻,RTHJA1

      60 ℃/W 典型值

      熱阻,RTHJA2

      16 ℃/W 典型值

      產品尺寸

      產品應用

      生物設備、航空航天、科學研究與儀器儀表


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