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      LASER COMPONENTSAPD接收器H0

      產(chǎn)品介紹

       H0 系列包括一個硅或銦鎵砷雪崩光電二極管,帶有優(yōu)化的低噪聲混合前置放大器,可用于激光測距、激光雷達、分析應用。這些器件中使用的 Si-APD 有 SAR500、SAR1500 和用于 YAG 增強應用的 SAT800,在 400 nm 到 1100 nm 波長范圍內(nèi)具有響應性,在所有波長上都具有極快的上升和下降時間。對于 900 nm 到 1700 nm 的波長范圍,我們使用了InGaAs-APD IAG080 和 IAG200。

      性能特點

      • 系統(tǒng)帶寬 DC- 100 MHz
      • 高靈敏度
      • 超低噪音
      • 光譜響應范圍
      • SiAPD:400 nm至 1100 nm
      • InGaAs-APD:900 nm至 1700 nm
      • 密封 TO-46 封裝
      • +/- 5 伏放大器工作電壓

      產(chǎn)品結(jié)構(gòu)與細節(jié)

      所有接收器均可配備InGaAs-APD,因此可覆蓋 400 - 1100 和 1000 - 1650 nm 的波長范圍。

      可選功能與配件

       InGaAs-APD 接收器(SAR500H0、SAR1500H0)

      技術(shù)參數(shù)

      產(chǎn)地:德國

      存儲溫度:-55 ℃ 至 +100 ℃

      工作溫度:-40 ℃ 至 +85 ℃

      TIA 電源電壓(V):+/- 4(Min); +/- 5 ;+/- 6.5 (Max)

      TIA 電源電流:30 mA

      功率消耗:300 mW

      焊接溫度(15 秒):260 °C

      噪聲測量頻率:100 kHz

      操作方式:脈沖操作

      有效區(qū)域直徑:0.5 mm

      波長范圍:400-1000 nm

      峰值靈敏度:905 nm

      帶寬:DC-20 MHz

      響應度:

      540 納米 1.35 MV/W

      650 納米 2.00MV/W

      905 納米 2.50MV/W

      NEP:

      540 納米 0.10  pW/rtHz

      650 納米 0.06 pW/rtHz

      905 納米 0.05 pW/rtHz

      輸出噪聲密度:100 nV/rtHz

      輸入?yún)⒖荚肼暶芏龋? pA/rtHz

      輸出電壓擺幅(1 MΩ):3 V

      輸出電壓擺幅 (50 o):1.5 V

      輸出偏移電壓:25 mV

      產(chǎn)品應用

      光電測量、軍事、汽車領域、激光測距、激光雷達、分析應用


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