新款 80 V TrenchFET Gen IV N 溝道功率 MOSFET

Vishay 推出一款采用無引線鍵合（BWL）封裝并具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)導(dǎo)通電阻的新款 80 V TrenchFET Gen IV N 溝道功率 MOSFET，旨在提高工業(yè)應(yīng)用的效率。與相同尺寸的競品器件相比，Vishay Siliconix SiEH4800EW 的導(dǎo)通電阻低 15 %，而 RthJC 低 18 %。

該器件在 10 V 下的導(dǎo)通電子典型值為 0.88 mΩ，最大限度降低了傳導(dǎo)造成的功率損耗，從而提高了效率，同時(shí)以低至 0.36 ℃/W 的最大 RthJC 改善了熱性能。這款節(jié)省空間的器件體積為 8 mm x 8 mm，與采用 TO-263 封裝的 MOSFET 相比，PCB 面積減少 50 %，而且其厚度僅為 1 mm。

SiEH4800EW 采用融合的焊盤，將源焊盤的可焊面積增加到 3.35 mm2，比傳統(tǒng) PIN 焊接面積大四倍。這降低了 MOSFET 和 PCB 之間的電流密度，從而降低了電遷移的風(fēng)險(xiǎn)，使設(shè)計(jì)更加可靠。此外，器件易于吸附焊錫的側(cè)翼增強(qiáng)了可焊性，同時(shí)更容易通過目視檢查焊點(diǎn)的可靠性。

這款 MOSFET 非常適合同步整流和 Oring 應(yīng)用。典型應(yīng)用包括電機(jī)驅(qū)動控制器、電動工具、焊接設(shè)備、等離子切割機(jī)、電池管理系統(tǒng)、機(jī)器人和 3D 打印機(jī)。在這些應(yīng)用中，該器件可在 + 175 ℃ 的高溫下工作，而其 BWL 設(shè)計(jì)可將寄生電感降至最低，同時(shí)使電流能力最大化。

MOSFET 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素，并且經(jīng)過 100 % 的 Rg 和 UIS 測試。

對比表：D2PAK、PowerPAK 8x8L 和 PowerPAK 8x8SW 對比

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